SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Shtepliuk Ivan)
 

Sökning: WFRF:(Shtepliuk Ivan) > Effect of Ag doping...

  • Ievtushenko, A.NASU, Ukraine (författare)

Effect of Ag doping on the structural, electrical and optical properties of ZnO grown by MOCVD at different substrate temperatures

  • Artikel/kapitelEngelska2018

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • ACADEMIC PRESS LTD- ELSEVIER SCIENCE LTD,2018
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-149480
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-149480URI
  • https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.03.029DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Funding Agencies|Swedish Research Council (VR) Marie Skiodowska Curie International Career Grant [2015-00679]; AForsk [14-517]
  • ZnO films and nanostructures were deposited on Si substrates by MOCVD using single source solid state zinc acetylacetonate (Zn(AA)) precursor. Doping by silver was realized in-situ via adding 1 and 10 wt. % of Ag acetylacetonate (Ag(AA)) to zinc precursor. Influence of Ag on the microstructure, electrical and optical properties of ZnO at temperature range 220-550 degrees C was studied by scanning, transmission electron and Kelvin probe force microscopy, photoluminescence and four-point probe electrical measurements. Ag doping affects the ZnO microstructure via changing the nucleation mode into heterogeneous and thus transforming the polycrystalline films into a matrix of highly c-axis textured hexagonally faceted nanorods. Increase of the work function value from 4.45 to 4.75 eV was observed with Ag content increase, which is attributed to Ag behaviour as a donor impurity. It was observed, that near-band edge emission of ZnO NS was enhanced with Ag doping as a result of quenching deep-level emission. Upon high doping of ZnO by Ag it tends to promote the formation of basal plane stacking faults defect, as it was observed by HR TEM and PL study in the case of 10 wt.% of Ag. Based on the results obtained, it is suggested that NS deposition at lower temperatures (220-300 degrees C) is more favorable for p-type doping of ZnO. (C) 2018 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Karpyna, V.NASU, Ukraine (författare)
  • Eriksson, JensLinköpings universitet,Sensor- och aktuatorsystem,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jener58 (författare)
  • Tsiaoussis, I.Aristotle Univ Thessaloniki, Greece (författare)
  • Shtepliuk, IvanLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,NASU, Ukraine(Swepub:liu)ivash69 (författare)
  • Lashkarev, G.NASU, Ukraine (författare)
  • Yakimova, RositsaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)rosia15 (författare)
  • Khranovskyy, VolodymyrLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)volkh14 (författare)
  • NASU, UkraineSensor- och aktuatorsystem (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Superlattices and Microstructures: ACADEMIC PRESS LTD- ELSEVIER SCIENCE LTD117, s. 121-1310749-60361096-3677

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy