Sökning: WFRF:(Forsberg Urban 1971 ) >
Nitrogen doping of ...
Nitrogen doping of epitaxial Silicon Carbide
-
- Forsberg, Urban, 1971- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Danielsson, Örjan (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Linnarsson, Margareta K. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT,Solid State Electronics, Royal Institute of Technology, SE-164 40 Kista, Sweden
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ScienceDirect, 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : ScienceDirect. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 236:1-3, s. 101-112
- Relaterad länk:
-
http://urn.kb.se/res...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Intentional doping with nitrogen of 4H- and 6H-SiC has been performed using a hot-wall CVD reactor. The nitrogen doping dependence on the temperature, pressure, C/Si ratio, growth rate and nitrogen flow has been investigated. The nitrogen incorporation for C-face material showed to be C/Si ratio independent, whereas the doping decreased with increasing C/Si ratio for the Si-face material in accordance with the “site-competition” model. The nitrogen incorporation was constant in a temperature “window” of 75°C on Si-face material indicating a mass transport limited incorporation. Increasing the growth rate resulted in a decrease of nitrogen incorporation on Si-face but an increase on C-face material. Finally, a comparison between previously published results on cold-wall CVD-grown material and the present hot-wall-grown material is presented.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik -- Övrig annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies -- Other Engineering and Technologies not elsewhere specified (hsv//eng)
Nyckelord
- A1. Doping
- A3. Hot wall epitaxy
- B2. Superconducting materials
- Material physics with surface physics
- Materialfysik med ytfysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas