Sökning: L773:1520 8559 OR L773:0734 2101
> (2010-2024) >
Compositional depen...
Compositional dependence of epitaxial Tin+1SiCn MAX-phase thin films grown from a Ti3SiC2 compound target
-
- Magnuson, Martin, 1965- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Tengdelius, Lina, 1986- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Greczynski, Grzegorz, 1973- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
visa fler...
-
- Eriksson, Fredrik, 1975- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Jensen, Jens, 1968- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Lu, Jun, 1962- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Samuelsson, Mattias, 1976- (författare)
- Linköpings universitet,Nanodesign,Tekniska fakulteten
-
- Eklund, Per, 1977- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Hultman, Lars, Professor, 1960- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Högberg, Hans, 1968- (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics (AIP), 2019
- 2019
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films. - : American Institute of Physics (AIP). - 0734-2101 .- 1520-8559. ; 37:2
- Relaterad länk:
-
https://arxiv.org/ab...
-
visa fler...
-
http://martinmagnuso...
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
http://liu.diva-port...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The authors investigate sputtering of a Ti3SiC2 compound target at temperatures ranging from RT (no applied external heating) to 970 °C as well as the influence of the sputtering power at 850 °C for the deposition of Ti3SiC2 films on Al2O3(0001) substrates. Elemental composition obtained from time-of-flight energy elastic recoil detection analysis shows an excess of carbon in all films, which is explained by differences in the angular distribution between C, Si, and Ti, where C scatters the least during sputtering. The oxygen content is 2.6 at. % in the film deposited at RT and decreases with increasing deposition temperature, showing that higher temperatures favor high purity films. Chemical bonding analysis by x-ray photoelectron spectroscopy shows C–Ti and Si–C bonding in the Ti3SiC2 films and Si–Si bonding in the Ti3SiC2 compound target. X-ray diffraction reveals that the phases Ti3SiC2, Ti4SiC3, and Ti7Si2C5 can be deposited from a Ti3SiC2 compound target at substrate temperatures above 850 °C and with the growth of TiC and the Nowotny phase Ti5Si3Cx at lower temperatures. High-resolution scanning transmission electron microscopy shows epitaxial growth of Ti3SiC2, Ti4SiC3, and Ti7Si2C5 on TiC at 970 °C. Four-point probe resistivity measurements give values in the range ∼120 to ∼450 μΩ cm and with the lowest values obtained for films containing Ti3SiC2, Ti4SiC3, and Ti7Si2C5.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Magnuson, Martin ...
-
Tengdelius, Lina ...
-
Greczynski, Grze ...
-
Eriksson, Fredri ...
-
Jensen, Jens, 19 ...
-
Lu, Jun, 1962-
-
visa fler...
-
Samuelsson, Matt ...
-
Eklund, Per, 197 ...
-
Hultman, Lars, P ...
-
Högberg, Hans, 1 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Vacuu ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet