SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-182951"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-182951" > On the polarity det...

  • Zhang, HengfangLinköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten (författare)

On the polarity determination and polarity inversion in nitrogen-polar group III-nitride layers grown on SiC

  • Artikel/kapitelEngelska2022

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • AIP Publishing,2022
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-182951
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-182951URI
  • https://doi.org/10.1063/5.0074010DOI
  • https://lup.lub.lu.se/record/2abbe853-9359-45a4-9dc5-a82e42d1b16bURI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Funding Agencies|Swedish Governmental Agency for Innovation Systems (VINNOVA)Vinnova [2016-05190]; Linkoeping University; Chalmers University of Technology; ABB; EricssonEricsson; Epiluvac; FMV; Gotmic; Hexagem; On Semiconductor; Saab; SweGaN; UMS; Swedish Research Council VRSwedish Research Council [2016-00889]; Swedish Foundation for Strategic ResearchSwedish Foundation for Strategic Research [RIF14-055, RIF 14-0074, EM16-0024]; Swedish Government Strategic Research Area in Materials Science on Functional Materials at Linkping University, Faculty Grant SFO Mat LiU [2009-00971]
  • We investigate the interfaces and polarity domains at the atomic scale in epitaxial AlN and GaN/AlN grown by hot-wall metal organic chemical vapor epitaxy on the carbon face of SiC. X-ray diffraction, potassium hydroxide (KOH) wet chemical etching, and scanning transmission electron microscopy combined provide an in-depth understanding of polarity evolution with the film thickness, which is crucial to optimize growth. The AlN grown in a 3D mode is found to exhibit N-polar pyramid-type structures at the AlN-SiC interface. However, a mixed N-polar and Al-polar region with Al-polarity domination along with inverted pyramid-type structures evolve with increasing film thickness. We identify inclined inversion domain boundaries and propose that incorporation of oxygen on the & lang;40-41 & rang; facets of the N-polar pyramids causes the polarity inversion. We find that mixed-polar AlN is common and easily etched and remains undetected by solely relying on KOH etching. Atomic scale electron microscopy is, therefore, needed to accurately determine the polarity. The polarity of GaN grown on mixed-polar AlN is further shown to undergo complex evolution with the film thickness, which is discussed in the light of growth mechanisms and polarity determination methods.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Persson, IngemarLinköping University,Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ingpe67 (författare)
  • Papamichail, AlexisLinköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)alepa21 (författare)
  • Chen, Jr-TaiLinköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,SweGaN AB, Olaus Magnus Vag 48A, S-58330 Linkoping, Sweden(Swepub:liu)jrtch43 (författare)
  • Persson, Per O ALinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)perpe25 (författare)
  • Paskov, PlamenLinköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)plapa31 (författare)
  • Darakchieva, VanyaLinköping University,Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Lund Univ, Sweden,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)va4841da (författare)
  • Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Journal of Applied Physics: AIP Publishing131:50021-89791089-7550

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy