SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Persson Olof P)
 

Sökning: WFRF:(Persson Olof P) > Epitaxial growth of...

Epitaxial growth of β-Ga2O3 by hot-wall MOCVD

Gogova, Daniela, 1967- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Ghezellou, Misagh, 1988- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
Tran, Dat Q. (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
visa fler...
Richter, Steffen (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Solid State Physics and NanoLund, Lund University, P. O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Papamichail, Alexis, 1990- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
ul-Hassan, Jawad, 1974- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
Persson, Axel R. (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Persson, Per, 1971- (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
Kordina, Olof (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Monemar, Bo, 1942- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Hilfiker, Matthew (författare)
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA
Schubert, Mathias, 1966- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Paskov, Plamen P., 1959- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Darakchieva, Vanya, 1971- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Solid State Physics and NanoLund, Lund University, P. O. Box 118, 221 00 Lund, Sweden,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2022
2022
Engelska.
Ingår i: AIP Advances. - : AIP Publishing. - 2158-3226. ; 12:5
Relaterad länk:
https://urn.kb.se/re...
visa fler...
https://doi.org/10.1...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The hot-wall metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) concept, previously shown to enable superior material quality and high performance devices based on wide bandgap semiconductors, such as Ga(Al)N and SiC, has been applied to the epitaxial growth of beta-Ga2O3. Epitaxial beta-Ga2O3 layers at high growth rates (above 1 mu m/h), at low reagent flows, and at reduced growth temperatures (740 degrees C) are demonstrated. A high crystalline quality epitaxial material on a c-plane sapphire substrate is attained as corroborated by a combination of x-ray diffraction, high-resolution scanning transmission electron microscopy, and spectroscopic ellipsometry measurements. The hot-wall MOCVD process is transferred to homoepitaxy, and single-crystalline homoepitaxial beta-Ga2O3 layers are demonstrated with a 201 rocking curve width of 118 arc sec, which is comparable to those of the edge-defined film-fed grown (201) beta-Ga2O3 substrates, indicative of similar dislocation densities for epilayers and substrates. Hence, hot-wall MOCVD is proposed as a prospective growth method to be further explored for the fabrication of beta-Ga2O3.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy