Enhancement of the Basal-plane Stacking Fault Emission in GaN Planar Nanowire Microcavity

Funding Agencies|Russian Science Foundation [21-12-00304]
We study and compare optical microcavities formed by GaN planar nanowires. Nanostructures with structural defects such as stacking faults and without defects are considered. The behavior of an exciton localized in a stacking fault is considered. Different behavior of the photoluminescence intensity and the photoluminescence decay time is observed for the cases under consideration. Theoretical calculations show the localization of the field at the ends of the structure.

Pozina, GaliaLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)galpo50 (författare)
Belonovskii, A. VITMO Univ, Russia (författare)
Mitrofanov, M. IRussian Acad Sci, Russia; Ioffe Inst, Russia (författare)
Levitskii, I. VRussian Acad Sci, Russia; Ioffe Inst, Russia (författare)
Voznyuk, G. V.ITMO Univ, Russia (författare)
Evtikhiev, V. P.Ioffe Inst, Russia (författare)
Rodin, S. N.Russian Acad Sci, Russia; Ioffe Inst, Russia (författare)
Kaliteevski, M. A.ITMO Univ, Russia (författare)
ITMO Univ, RussiaTunnfilmsfysik (creator_code:org_t)

Ingår i:JETP Letters: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER115, s. 574-5800021-36401090-6487

Av författaren/redakt...: Girshova, E. I; Pozina, Galia; Belonovskii, A. ...; Mitrofanov, M. I; Levitskii, I. V; Voznyuk, G. V.; visa fler...; Evtikhiev, V. P.; Rodin, S. N.; Kaliteevski, M. ...; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.