SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Gueorguiev Gueorgui Kostov)
 

Sökning: WFRF:(Gueorguiev Gueorgui Kostov) > (2020-2024) > Domain epitaxial gr...

  • Chang, Jui-CheLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten (författare)

Domain epitaxial growth of Ta3N5 film on c-plane sapphire substrate

  • Artikel/kapitelEngelska2022

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Elsevier,2022
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-188556
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-188556URI
  • https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2022.128581DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Funding: Swedish Research Council [2018-04198, 2021-00357]; Swedish Energy Agency [46658-1]; Stiftelsen Olle Engkvist Byggmastare [197-0210]; Linkoping University Library; Swedish Government Strategic Research Area in Materials Science on Functional Materials at Linkoping University [SFO-Mat-LiU 2009-00971]
  • Tritantalum pentanitride (Ta3N5) semiconductor is a promising material for photoelectrolysis of water with high efficiency. Ta3N5 is a metastable phase in the complex system of TaN binary compounds. Growing stabilized single-crystal Ta3N5 films is correspondingly challenging. Here, we demonstrate the growth of a nearly single-crystal Ta3N5 film with epitaxial domains on c-plane sapphire substrate, Al2O3(0001), by magnetron sputter epitaxy. Introduction of a small amount ~2% of O2 into the reactive sputtering gas mixed with N2 and Ar facilitates the formation of a Ta3N5 phase in the film dominated by metallic TaN. In addition, we indicate that a single-phase polycrystalline Ta3N5 film can be obtained with the assistance of a Ta2O5 seed layer. With controlling thickness of the seed layer smaller than 10 nm and annealing at 1000 °C, a crystalline β phase Ta2O5 was formed, which promotes the domain epitaxial growth of Ta3N5 films on Al2O3(0001). The mechanism behind the stabilization of the orthorhombic Ta3N5 structure resides in its stacking with the ultrathin seed layer of orthorhombic β-Ta2O5, which is energetically beneficial and reduces the lattice mismatch with the substrate.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Birch, Jens,1960-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jenbi91 (författare)
  • Kostov Gueorguiev, Gueorgui,1968-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)guegu96 (författare)
  • Bakhit, Babak,1983-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)babba34 (författare)
  • Greczynski, Grzegorz,1973-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)grzgr49 (författare)
  • Eriksson, Fredrik,1975-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)freer90 (författare)
  • Sandström, Per,1970-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)persa20 (författare)
  • Hultman, Lars,Professor,1960-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)larhu75 (författare)
  • Hsiao, Ching-Lien,1975-Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)chihs76 (författare)
  • Linköpings universitetTunnfilmsfysik (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Surface & Coatings Technology: Elsevier4430257-89721879-3347

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy