Impacts of the Lattice Strain on Perovskite Light-Emitting Diodes

Wang, Heyong,1989-Linköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten (författare)

Funding Agencies|ERC Starting Grant [717026]; Swedish Foundation for International Cooperation in Research and Higher Education [CH2018-7736]; Swedish Government Strategic Research Area in Materials Science on Functional Materials at Linkoping University (Faculty Grant SFO-Mat-LiU) [2009-00971]; European Union [823717 - ESTEEM3]; [895679]
The development of perovskite light-emitting diodes (PeLEDs) with both high efficiency and excellent stability remains challenging. Herein, a strong correlation between the lattice strain in perovskite films and the stability of resulting PeLEDs is revealed. Based on high-efficiency PeLEDs, the device lifetime is optimized by rationally tailoring the lattice strain in perovskite films. A PeLED with a high peak external quantum efficiency of 18.2% and a long lifetime of 151 h (T-70, under a current density of 20 mA cm(-2)) is realized with a minimized lattice strain in the perovskite film. In addition, an increase in the lattice strain is found during the long-time device stability test, indicating that the degradation of the local perovskite lattice structure could be one of the degradation mechanisms for long-term stable PeLEDs.

Chen, ZhanLinköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)zhach88 (författare)
Tian, FuyuJilin Univ, Peoples R China (författare)
Zheng, GuanhaojieChinese Acad Sci, Peoples R China (författare)
Wang, HongguangMax Planck Inst Solid State Res, Germany (författare)
Zhang, TiankaiLinköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)tiazh64 (författare)
Qin, JiajunLinköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jiaqi14 (författare)
Gao, XingyuChinese Acad Sci, Peoples R China; Univ Chinese Acad Sci, Peoples R China (författare)
van Aken, Peter A.Max Planck Inst Solid State Res, Germany (författare)
Zhang, LijunJilin Univ, Peoples R China (författare)
Liu, Xiaoke,1988-Linköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)xiali81 (författare)
Gao, Feng,1981-Linköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)fenga88 (författare)
Linköpings universitetElektroniska och fotoniska material (creator_code:org_t)

Ingår i:Advanced Energy Materials: Wiley-V C H Verlag GMBH13:331614-68321614-6840

Av författaren/redakt...: Wang, Heyong, 19 ...; Chen, Zhan; Tian, Fuyu; Zheng, Guanhaoji ...; Wang, Hongguang; Zhang, Tiankai; visa fler...; Qin, Jiajun; Gao, Xingyu; van Aken, Peter ...; Zhang, Lijun; Liu, Xiaoke, 198 ...; Gao, Feng, 1981-; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.