SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-191923"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-191923" > High-resolution STE...

  • Salamania, Janella,1992-Linköpings universitet,Nanostrukturerade material,Tekniska fakulteten (författare)

High-resolution STEM investigation of the role of dislocations during decomposition of Ti1-xAlxNy

  • Artikel/kapitelEngelska2023

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Elsevier,2023
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-191923
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-191923URI
  • https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2023.115366DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Funding: Swedish Research Council (VR) [2017-03813, 2017-06701, 2021-04426, 2021-00357]; ViNNOVA [2016-05156]; Swedish government strategic research area grant AFM - SFO MatLiU [2009-00971]; Knut and Alice Wallenberg Foundation [KAW-2018.0194]; Swedish Research Council [VR-2015-04630]
  • The defect structures forming during high-temperature decomposition of Ti1-xAlxNy films were investigated through high-resolution scanning transmission electron microscopy. After annealing to 950 °C, misfit edge dislocations a/6〈112〉{111} partial dislocations permeate the interface between TiN-rich and AlN-rich domains to accommodate lattice misfits during spinodal decomposition. The stacking fault energy associated with the partial dislocations decreases with increasing Al content, which facilitates the coherent cubic to wurtzite structure transition of AlN-rich domains. The wurtzite AlN-rich structure is recovered when every third cubic {111} plane is shifted by along the [211] direction. After annealing to 1100 °C, a temperature where coarsening dominates the microstructure evolution, we observe intersections of stacking faults, which form sessile locks at the interface of the TiN- and AlN-rich domains. These observed defect structures facilitate the formation of semicoherent interfaces and contribute to hardening in Ti1-xAlxNy.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Calamba Kwick, KatherineSandvik Coromant AB, Stockholm, Sweden (författare)
  • Sangiovanni, Davide Giuseppe,1979-Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)davsa82 (författare)
  • Tasnadi, Ferenc,1975-Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)ferta55 (författare)
  • Abrikosov, Igor A.,Professor,1965-Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)igoab43 (författare)
  • Rogström, Lina,1983-Linköpings universitet,Nanostrukturerade material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)linro82 (författare)
  • Johnson, LarsSandvik Coromant AB, Stockholm, Sweden (författare)
  • Odén, Magnus,1965-Linköpings universitet,Nanostrukturerade material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)magod41 (författare)
  • Linköpings universitetNanostrukturerade material (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Scripta Materialia: Elsevier2291359-64621872-8456

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy