Sökning: L773:2639 4979 >
Spin Centers in Van...
-
Mopoung, KunpotLinköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten
(författare)
Spin Centers in Vanadium-Doped Cs2NaInCl6 Halide Double Perovskites
- Artikel/kapitelEngelska2024
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AMER CHEMICAL SOC,2024
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-200977
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-200977URI
-
https://doi.org/10.1021/acsmaterialslett.3c01590DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Funding Agencies|, Carl Tryggers Stiftelse f?r Vetenskaplig Forskning [2021-05790]; Swedish Research Councils [KAW 2019.0082]; Knut and Alice Wallenberg Foundation [48758-1, 48594-1]; Swedish Energy Agency [2009- 00971]; Swedish Government Strategic Research Area in Materials Science on Functional Materials at Linkoping University [CTS 20:350]; Carl-Trygger Foundation
-
We provide direct evidence for a spin-active V4+ defect center, likely in the form of a VO2+ complex, predominantly introduced in single crystals of vanadium-doped Cs2NaInCl6 halide double perovskites grown by the solution-processed hydrothermal method. The defect has C-4v point group symmetry, exhibiting an electron paramagnetic resonance (EPR) spectrum arising from an effective electron spin of S = 1/2 and a nuclear spin of I = 7/2 (corresponding to V-51 with nearly 100% natural abundance). The determined electron g-factor and hyperfine parameter values are g(perpendicular to)= 1.973, g(parallel to) = 1.945, A(perpendicular to) = 180 MHz, and A(parallel to) = 504 MHz, with the principal axis z along a < 001 > crystallographic axis. The controlled growth of V-doped Cs2NaInCl6 in an oxygen-free environment is shown to suppress the V4+ EPR signal. The defect model is suggested to have a VOCl5 octahedral coordination, where one of the nearest-neighbor Cl- of V is replaced by O2-, with octahedral compression along the V-O axis. This VO complex formation competes with the isolated V3+ substitution of In3+, which in turn provides a means for the charge-state tuning of V ions. This finding calls for a better understanding and control of defect formation in solution-grown halide double perovskites, which is critical for optimizing and tailoring material design for solution-processable optoelectronics and spintronics.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Dávid, AnnaLinköpings universitet,Laboratoriet för organisk elektronik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)annda85
(författare)
-
Liu, XianjieLinköpings universitet,Laboratoriet för organisk elektronik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)xiali21
(författare)
-
Fahlman, MatsLinköpings universitet,Laboratoriet för organisk elektronik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)matfa21
(författare)
-
Buyanova, IrinaLinköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)iribo40
(författare)
-
Chen, WeiminLinköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)weich55
(författare)
-
Puttisong, YuttapoomLinköpings universitet,Elektroniska och fotoniska material,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)yutpu33
(författare)
-
Linköpings universitetElektroniska och fotoniska material
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:ACS Materials Letters: AMER CHEMICAL SOC6:2, s. 566-5712639-4979
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas