WFRF:(Azam Sher 1971 )
Sökning: WFRF:(Azam Sher 1971 ) > High Power, Single ...
High Power, Single Stage SiGaN HEMT Class EPower Amplifier at GHz Frequencies
-
- Azam, Sher, 1971- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Jonsson, Rolf (författare)
- Swedish Defense Research Agency (FOI), Box 1165, SE-581 11 Linkoping, Sweden
-
- Fritzin, Jonas (författare)
- Linköpings universitet,Elektroniska komponenter,Tekniska högskolan
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- Engelska.
- Annan publikation (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A high power single stage class E power amplifier is implemented with lumped elements at 0.89-1.02GHz using Silicon GaN High Electron Mobility Transistor as an active device. The maximum drain efficiency (DE) and power added efficiency (PAE) of 67 and 65 % respectively is obtained with a maximum output power of 42.2 dBm (~ 17 W) and amaximum power gain of 15 dB. We obtained good results at all measured frequencies.
Nyckelord
- Class E
- PAE
- Power Amplifiers
- Gallium Nitride
- HEMT
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- ovr (ämneskategori)
Till lärosätets databas
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Azam, Sher, 1971 ...
- Jonsson, Rolf
- Fritzin, Jonas
- Alvandpour, Atil ...
- Wahab, Qamar
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
