Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide: A theoretical study

Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide : A theoretical study

Ab initio supercell calculations have been carried out to investigate the complexes of boron acceptors with carbon self-interstitials in cubic silicon carbide. Based on the calculated binding energies, the complex formation of carbon interstitials with shallow boron acceptor and boron interstitial is energetically favored in silicon carbide. These bistable boron defects possess deep, negative- U occupation levels in the band gap. The theoretical results can explain the observed activation rates in carbon-boron coimplantation experiments. © 2005 American Institute of Physics.

Hornos, T (författare)
Deák, P (författare)
Nguyen, Son Tien,1953-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)nguso90 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Choyke, W (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing86:10, s. 102108-0003-69511077-3118

Av författaren/redakt...: Gali, A; Hornos, T; Deák, P; Nguyen, Son Tien ...; Janzén, Erik, 19 ...; Choyke, W

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.