Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-30683" >
Activation of shall...
Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide : A theoretical study
- Artikel/kapitelEngelska2005
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AIP Publishing,2005
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-30683
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-30683URI
-
https://doi.org/10.1063/1.1883745DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
Ab initio supercell calculations have been carried out to investigate the complexes of boron acceptors with carbon self-interstitials in cubic silicon carbide. Based on the calculated binding energies, the complex formation of carbon interstitials with shallow boron acceptor and boron interstitial is energetically favored in silicon carbide. These bistable boron defects possess deep, negative- U occupation levels in the band gap. The theoretical results can explain the observed activation rates in carbon-boron coimplantation experiments. © 2005 American Institute of Physics.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
NATURAL SCIENCES
-
NATURVETENSKAP
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Hornos, T
(författare)
-
Deák, P
(författare)
-
Nguyen, Son Tien,1953-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)nguso90
(författare)
-
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14
(författare)
-
Choyke, W
(författare)
-
Linköpings universitetTekniska högskolan
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing86:10, s. 102108-0003-69511077-3118
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas