Investigation of the structural and optical properties of free-standing GaN grown by HVPE

The potential of the high-growth rate hydride vapour phase epitaxy technique and laser lift-off for the fabrication of free-standing GaN substrates is explored. Structural and optical properties of 300 νm thick free-standing GaN have been investigated employing different analytical techniques. The x-ray diffraction (XRD) measurements prove good crystalline quality of the material grown. A comparatively low value of (3 ± 1) × 1016 cm-3 of Ga vacancy-related defects is inferred from positron annihilation spectroscopy data. Complete strain relaxation is observed on the Ga-polar face of the free-standing GaN by XRD and Raman spectroscopy measurements. The strain-free homoepitaxy will significantly reduce the defect density, and thus an improvement of the device performance and lifetime can be realized. © 2005 IOP Publishing Ltd.

Hemmingsson, Carl,1964-Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)carhe91 (författare)
Monemar, Bo,1942-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bomo46 (författare)
Talik, E. (författare)
Kruczek, M. (författare)
Tuomisto, F. (författare)
Saarinen, K. (författare)
Linköpings universitetInstitutionen för fysik, kemi och biologi (creator_code:org_t)

Ingår i:Journal of Physics D: IOP Publishing38:14, s. 2332-23370022-37271361-6463

Av författaren/redakt...: Gogova, D.; Hemmingsson, Car ...; Monemar, Bo, 194 ...; Talik, E.; Kruczek, M.; Tuomisto, F.; visa fler...; Saarinen, K.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.