SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

(WFRF:(Chen C.)) conttype:(scientificother)
 

Sökning: (WFRF:(Chen C.)) conttype:(scientificother) > (2005-2009) > Investigation of a ...

Investigation of a GaMnN/GaN/InGaN structure for spinLED

Kyrychenko, F.V. (författare)
Department of Physics, University of Florida, Gainesville, FL, USA
Stanton, C.J. (författare)
Department of Physics, University of Florida, Gainesville, FL, USA
Abernathy, C.R. (författare)
Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
visa fler...
Pearton, S.J. (författare)
Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
Ren, F. (författare)
Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
Thaler, G. (författare)
Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
Frazier, R. (författare)
Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
Buyanova, Irina, 1960- (författare)
Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
Bergman, J. P: (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Chen, Weimin, 1959- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
American Institute of Physics (AIP), 2005
2005
Engelska.
Ingår i: 27th Int. Conf. on the Physics of Semicond,2004. - : American Institute of Physics (AIP). - 0735402574 ; , s. 1319-1320
  • Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Theoreticaland experimental studies of GaMnN/GaN/InGaN structure for a spin LEDdevice were performed. Strong electron spin relaxation was experimentally observedin a InGaN/GaN quantum well. It is shown that thestrong spin relaxation might result from the built-in piezoelectric fieldin strained wurzite heterostructures. A five level k · pmodel was used for microscopic calculations of the structure inversionasymmetry induced spin-orbit interaction. The magnitude of this interaction isshown to be comparable with that in InGaAs/GaAs quantum structures.©2005 American Institute of Physics

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

spintronics
NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP
Semiconductor physics
Halvledarfysik

Publikations- och innehållstyp

vet (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy