AlGaInN metal-organic-chemical-vapor-deposition gas-phase chemistry in hydrogen and nitrogen diluents: First-principles calculations

Kakanakova-Georgieva, Anelia,1970-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

AlGaInN metal-organic-chemical-vapor-deposition gas-phase chemistry in hydrogen and nitrogen diluents : First-principles calculations

Direct impact of H2 and N2 diluents on the metal-organic-chemical-vapor-deposition gas-phase chemistry in M(CH3)3/NH3 (M = Al, Ga, In) systems is identified in the framework of Density Functional Theory in terms of cohesive energy differences. While both diluents destabilize model reaction species, i.e. adducts, transition states and chain complexes, the effect is particularly strong with respect to N2 in the Al(CH3)3/NH3 system, and can be a factor to restrain the expansion of chain complexes that deplete the gas-phase from precursors. Theoretical results are supported by experimental evidences of higher growth rate and superior optical properties of AlN grown in N2 vs. H2 diluent. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Gueorguiev, Gueorgui Kostov,1968-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik(Swepub:liu)guegu96 (författare)
Stafström, Sven,1957-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Beräkningsfysik(Swepub:liu)svest87 (författare)
Hultman, Lars,1960-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik(Swepub:liu)larhu75 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Chemical Physics Letters: Elsevier BV431:4-6, s. 346-3510009-26141873-4448

Av författaren/redakt...: Kakanakova-Georg ...; Gueorguiev, Gueo ...; Stafström, Sven, ...; Hultman, Lars, 1 ...; Janzén, Erik, 19 ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.