Deep levels and carrier compensation in V-doped semi-insulating 4H-SiC

Nguyen, Son Tien,1953-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

Electron paramagnetic resonance was used to study semi-insulating (SI) 4H-SiC substrates doped with vanadium (V) in the range of 5.5× 1015 -1.1× 1017 cm-3. Our results show that the electrical activation of V is low and hence only in heavily V-doped 4H-SiC, vanadium is responsible for the SI behavior, whereas in moderately V-doped substrates, the SI properties are thermally unstable and determined by intrinsic defects. We show that the commonly observed thermal activation energy Ea ∼1.1 eV in V-doped 4H-SiC may be related to deep levels of the carbon vacancy. © 2007 American Institute of Physics.

Carlsson, Patrick,1975-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)patca49 (författare)
Gällström, Andreas,1978-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)andga78 (författare)
Magnusson, Björn,1970-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bjoma90 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Nguyen, Son Tien ...; Carlsson, Patric ...; Gällström, Andre ...; Magnusson, Björn ...; Janzén, Erik, 19 ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.