Sökning: WFRF:(Moskalenko Evgenii) >
Acceptor-induced th...
Acceptor-induced threshold energy for the optical charging of InAs single quantum dots
-
- Moskalenko, Evgenii, 2000- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
-
- Karlsson, Fredrik, 1974- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Holtz, Per-Olof, 1951- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
- Monemar, Bo, 1942- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
Schoenfeld, W.V. (författare)
-
Garcia, J.M. (författare)
-
Petroff, P.M. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 66:19, s. 1953321-19533211
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We study the photoluminescence of single InAs/GaAs self-assembled quantum dots for a range of excitation powers, excitation energies and sample temperatures 4 K30 K), this effect vanishes due to the essential decrease of the steady-state free electron concentration in the GaAs barrier as a result of thermally excited free holes appearing in the GaAs barrier valence band which provides an effective recombination channel for the free electrons. These experimental observations could be used as an effective tool to create and study charged excitons in quantum dots.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas