Phonon-assisted photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells

Paskov, Plamen,1959-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

The LO-phonon sidebands of the photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells has been investigated in the temperature range from 20 to 300 K. Analysing the intensity distribution among the phonon replicas, the strength of the exciton-phonon interaction has been estimated. The Huang-Rhys factor was found to be ÿ0.3, much larger than in GaN. The enhancement has been attributed to the exciton localization on a length scale smaller than the exciton Bohr radius and to the large internal electric field, which increases the spatial separation of the electron and hole charge densities along the growth axis.

Holtz, Per-Olof,1951-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)perho67 (författare)
Monemar, Bo,1942-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bomo46 (författare)
Kamiyama, S. (författare)
Iwaya, M. (författare)
Amano, H. (författare)
Akasaki, I. (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Physica status solidi. B, Basic research234:3, s. 755-7580370-19721521-3951

Av författaren/redakt...: Paskov, Plamen, ...; Holtz, Per-Olof, ...; Monemar, Bo, 194 ...; Kamiyama, S.; Iwaya, M.; Amano, H.; visa fler...; Akasaki, I.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.