Deep Levels Responsible for Semi-insulating Behaviour in Vanadium-doped 4H-SiC Substrates

Nguyen, Son Tien,1953-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

Semi-insulating (SI) 4H-SiC substrates doped with vanadium (V) in the range 5.5×1015 –1.1×1017 cm–3 were studied by electron paramagnetic resonance. We show that only in heavily V-doped 4H-SiC vanadium is responsible for the SI behavior, whereas in moderate V-doped substrates with the V concentration comparable or slightly higher than that of the shallow N donor or B acceptor, the SI properties are thermally unstable and determined by intrinsic defects. The results show that the commonly observed thermal activation energy Ea~1.1 eV in V-doped 4H-SiC, which was previously assigned to the single acceptor V4+/3+ level, may be related to deep levels of the carbon vacancy. Carrier compensation processes involving deep levels of V and intrinsic defects are discussed and possible thermal activation energies are suggested.

Carlsson, Patrick,1975-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)patca49 (författare)
Gällström, Andreas,1978-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)andga78 (författare)
Magnusson, Björn,1970-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bjoma90 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Materials Science Forum, Vols. 600-603: Trans Tech Publications, s. 401-404

Av författaren/redakt...: Nguyen, Son Tien ...; Carlsson, Patric ...; Gällström, Andre ...; Magnusson, Björn ...; Janzén, Erik, 19 ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.