EPR Identification of Defects and Impurities in SiC: To Be Decisive

EPR Identification of Defects and Impurities in SiC : To Be Decisive

INVITED TALK
In EPR (electron paramagnetic resonance) identification of point defects, hyperfine (HF) interaction is decisive information not only for chemical identity but also for the local geometry and the electronic state. In some intrinsic defects in SiC, the wave function of the unpaired electron extends quite unevenly among major atoms comprising the defects. In such a case, the determination of the number of equivalent atoms and the chemical identity (Si or C) of those atoms even with weak HF splitting are useful to compare with HF parameters obtained theoretically. For vacancy-related defects of relatively deep levels, the sum of the spin densities on the nearest-neighbor shell is found to be 60-68%.

Umeda, T. (författare)
Mizuochi, N. (författare)
Nguyen, Son Tien,1953-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)nguso90 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Ohshima, T. (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Materials Science Forum, Vols. 600-603: Trans Tech Publications, s. 279-284

Av författaren/redakt...: Isoya, J.; Umeda, T.; Mizuochi, N.; Nguyen, Son Tien ...; Janzén, Erik, 19 ...; Ohshima, T.

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.