High-phase-purity zinc-blende InN on r -plane sapphire substrate with controlled nitridation pretreatment

High-phase-purity zinc-blende (zb) InN thin film has been grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on r -plane sapphire substrate pretreated with nitridation. X-ray diffraction analysis shows that the phase of the InN films changes from wurtzite (w) InN to a mixture of w-InN and zb-InN, to zb-InN with increasing nitridation time. High-resolution transmission electron microscopy reveals an ultrathin crystallized interlayer produced by substrate nitridation, which plays an important role in controlling the InN phase. Photoluminescence emission of zb-InN measured at 20 K shows a peak at a very low energy, 0.636 eV, and an absorption edge at ∼0.62 eV is observed at 2 K, which is the lowest bandgap reported to date among the III-nitride semiconductors. © 2008 American Institute of Physics.

Liu, T.W. (författare)
Wu, C.T. (författare)
Hsu, H.C. (författare)
Hsu, G.M. (författare)
Chen, L.C. (författare)
Shiao, W.Y. (författare)
Yang, C.C. (författare)
Gällström, Andreas,1978-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)andga78 (författare)
Holtz, Per-Olof,1951-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)perho67 (författare)
Chen, C.C. (författare)
Chen, K.H. (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Hsiao, C.L.; Liu, T.W.; Wu, C.T.; Hsu, H.C.; Hsu, G.M.; Chen, L.C.; visa fler...; Shiao, W.Y.; Yang, C.C.; Gällström, Andre ...; Holtz, Per-Olof, ...; Chen, C.C.; Chen, K.H.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.