Chloride-based SiC epitaxial growth

Pedersen, Henrik,1981-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

Some aspects of the chloride-based CVD growth process have been investigated by using both the approach to add HCl to the standard precursors or/and by using the single molecule precursor methyltrichlorosilane (MTS). The efficiency of the process for different precursors, the growth rate stability and the effect that the Cl/Si-ratio has on the growth have been studied. MTS is showed to be the most efficient precursor; the growth can be hindered by to much chlorine in the gas mixture. The Cl/Si-ratio is also found to be a process parameter that affects the amount of incorporated nitrogen in the epilayers.

Leone, Stefano,1978-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)stele19 (författare)
Henry, Anne,1959-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)annhe32 (författare)
Beyer, Franziska,1980-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)frabe40 (författare)
Lundskog, Anders,1981-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)andlu37 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Pedersen, Henrik ...; Leone, Stefano, ...; Henry, Anne, 195 ...; Beyer, Franziska ...; Lundskog, Anders ...; Janzén, Erik, 19 ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.