SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Furukawa Y)
 

Sökning: WFRF:(Furukawa Y) > (2004) > Evaluation of optic...

Evaluation of optical quality and defect properties of GaNxP1−x alloys lattice matched to Si

Izadifard, Morteza, 1965- (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi
Bergman, Peder, 1961- (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Vorona, Igor, 1967- (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
visa fler...
Chen, Weimin, 1959- (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
Buyanova, Irina, 1960- (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
Utsumi, A. (författare)
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
Furukawa, Y. (författare)
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
Moon, S. (författare)
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
Wakahara, A. (författare)
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
Yonezu, H. (författare)
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi, Japan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2004
2004
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 85, s. 6347-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • By using a variety of optical characterization techniques, including cathodoluminescence, temperature-dependent cw- and time-resolved photoluminescence (PL), and PL excitation spectroscopies, high optical quality of the GaN0.018P0.982 epilayers lattice matched to Si substrates is demonstrated and is shown to be comparable to that of the “state-of-the-art” GaNP alloys grown on GaP substrates. The growth of GaNP on Si is, however, found to facilitate the formation of several point defects, including complexes involving Ga interstitial atoms (Gai).

Nyckelord

NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP
Semiconductor physics
Halvledarfysik

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy