Electronic structure of the neutral silicon vacancy in 4H and 6H SiC

Wagner, Matthias,1969-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

Detailed information about the electronic structure of the lowest-lying excited states and the ground state of the neutral silicon vacancy in 4H and 6H SiC has been obtained by high-resolution photoluminescence (PL), PL excitation (PLE), and Zeeman spectroscopy of both PL and PLE. The excited states and the ground states involved in the characteristic luminescence of the defect with no-phonon (NP) lines at 1.438 and 1.352 eV in 4H SiC and 1.433, 1.398, and 1.368 eV in 6H SiC are shown to be singlets. The orbital degeneracy of the excited states is lifted by the crystal field for the highest-lying NP lines corresponding to one of the inequivalent lattice sites in both polytypes, leading to the appearance of hot lines at slightly higher energies. Polarization studies of the NP lines show a different behavior for the inequivalent sites. A comparison of this behavior in the two polytypes together with parameters from spin resonance studies provides useful hints for the assignment of the no-phonon lines to the inequivalent sites. In strained samples an additional fine structure of the NP lines can be resolved. This splitting may be due to strain variations in the samples.

Magnusson, Björn,1970-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bjoma90 (författare)
Chen, Weimin,1959-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Funktionella elektroniska material(Swepub:liu)weich55 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Sörman, E. (författare)
Hallin, Christer,1963-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)chrha60 (författare)
Lindström, J. L. (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Physical review. B, Condensed matter and materials physics62:24, s. 16555-165602469-9950

Av författaren/redakt...: Wagner, Matthias ...; Magnusson, Björn ...; Chen, Weimin, 19 ...; Janzén, Erik, 19 ...; Sörman, E.; Hallin, Christer ...; visa fler...; Lindström, J. L.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.