Growth of 4H-SiC Epitaxial Layers on 4° Off-axis Si-face substrates

Henry, Anne,1959-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial (författare)

CVD growth of epitaxial layers with a mirror like surface grown on 75 mm diameter 4° off-axis 4H SiC substrates is demonstrated. The effect of the C/Si ratio, temperature and temperature ramp up conditions is studied in detail. A low C/Si ratio of 0.4 and a temperature of 1530 °C is the best combination to avoid step bunching and triangular defects on the epitaxial layers. Using a low growth rate (about 3 µm/h) 6 μm thick, n-type doped epilayers were grown on 75 mm diameter wafers resulting in an RMS value of 0.7 nm and good reproducibility. 20 μm thick epitaxial layers with a background doping in the low 1014 cm-3 were grown with a mirror-like, defect-free surface. Preliminary results when using higher Si/H2 ratio (up to 0.4 %) and HCl addition are also presented: growth rate of 28 μm/h is achieved while keeping a smooth morphology.

Leone, Stefano,1978-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)stele19 (författare)
Pedersen, Henrik,1981-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)henpe50 (författare)
Kordina, OlleLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)ollko50 (författare)
Janzén, Erik,1954-Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Materials Science Forum, Vols. 615-617: Trans Tech Publications, s. 81-849780878493340

Av författaren/redakt...: Henry, Anne, 195 ...; Leone, Stefano, ...; Pedersen, Henrik ...; Kordina, Olle; Janzén, Erik, 19 ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.