SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

(WFRF:(Lu W)) srt2:(2000-2004)
 

Sökning: (WFRF:(Lu W)) srt2:(2000-2004) > Free-to-bound radia...

  • Arnaudov, B.Faculty of Physics, Sofia University, 5 J. Bourchier Blvd, 1164 Sofia, Bulgaria (författare)

Free-to-bound radiative recombination in highly conducting InN epitaxial layers

  • Artikel/kapitelEngelska2004

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Elsevier BV,2004
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-45620
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-45620URI
  • https://doi.org/10.1016/j.spmi.2004.09.013DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • We present a theoretical simulation of near-band-edge emission spectra of highly conducting n-InN assuming the model of 'free-to-bound' radiative recombination (FBRR) of degenerate electrons from the conduction band with nonequilibrium holes located in the valence band tails. We also study experimental photoluminescence (PL) spectra of highly conducting InN epitaxial layers grown by MBE and MOVPE with electron concentrations in the range (7.7 × 1017-6 × 1018) cm-3 and find that the energy positions and shape of the spectra depend on the impurity concentration. By modeling the experimental PL spectra of the InN layers we show that spectra can be nicely interpreted in the framework of the FBRR model with specific peculiarities for different doping levels. Analyzing simultaneously the shape and energy position of the InN emission spectra we determine the fundamental bandgap energy of InN to vary between Eg = 692 meV for effective mass mn0 = 0.042m0 and Eg =710 meV for mn0 = 0.1m0. © 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • TECHNOLOGY
  • TEKNIKVETENSKAP

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Paskova, TanjaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)tanpa12 (författare)
  • Paskov, PlamenLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)plapa31 (författare)
  • Magnusson, BjörnLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bjoma90 (författare)
  • Valcheva, E.Faculty of Physics, Sofia University, 5 J. Bourchier Blvd, 1164 Sofia, Bulgaria (författare)
  • Monemar, BoLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bomo46 (författare)
  • Lu, H.Department of Electrical Engineering, Cornell University, Ithaka, NY 14583, United States (författare)
  • Schaff, W.J.Department of Electrical Engineering, Cornell University, Ithaka, NY 14583, United States (författare)
  • Amano, H.Department of Electrical Engineering, Meijo University, I-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoia 468, Japan (författare)
  • Akasaki, I.Department of Electrical Engineering, Meijo University, I-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoia 468, Japan (författare)
  • Faculty of Physics, Sofia University, 5 J. Bourchier Blvd, 1164 Sofia, BulgariaTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Superlattices and Microstructures: Elsevier BV36:4-6, s. 563-5710749-60361096-3677

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy