Dissociation of V-Ga-O-N complexes in HVPE GaN by high pressure and high temperature annealing

We have used positron annihilation spectroscopy to study the high-pressure annealing induced thermal recovery of vacancy defects in free-standing GaN grown by hydride vapor phase epitaxy (HYPE). The results show that the in-grown Ga vacancy complexes recover after annealing at 1500-1700 K. Comparison of the experimental positron data with ab-initio calculations indicates that the Doppler broadening measurement of the electron momentum distribution is sensitive enough to distinguish between the N and O atoms surrounding the Ga vacancy. We show that the difference between the isolated V-Ga in electron irradiated GaN and the V-Ga-O-N complexes in highly O-doped GaN is clear, and the Ga vacancy related defect complexes that start dissociating at 1500 K can be identified as V-Ga-O-N pairs.

Hautakangas, S (författare)
Makkonen, I (författare)
Ranki, V (författare)
Puska, MJ (författare)
Saarinen, K (författare)
Bockowski, M (författare)
Suski, T (författare)
Paskova, TanjaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)tanpa12 (författare)
Monemar, BoLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bomo46 (författare)
Xu, X (författare)
Look, DC (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Physica status solidi. B, Basic research: Wiley243:7, s. 1436-14400370-19721521-3951

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.