SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Arnaudov B.)
 

Sökning: WFRF:(Arnaudov B.) > Magnetic-field-indu...

Magnetic-field-induced localization of electrons in InGaN/GaN multiple quantum wells

Arnaudov, B. (författare)
Faculty of Physics, Sofia University, 1164 Sofia, Bulgaria
Paskova, Tanja (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
Valassiades, O. (författare)
Aristoteles Univ. of Thessaloniki, Solid State Physics Section, 54124 Thessaloniki, Greece
visa fler...
Paskov, Plamen (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Evtimova, S. (författare)
Faculty of Physics, Sofia University, 1164 Sofia, Bulgaria
Monemar, Bo (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Heuken, M. (författare)
AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2003
2003
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 83:13, s. 2590-2592
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • A study was performed on the magnetic-field-induced localization of electrons in InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW). A stepwise behavior of both the Hall coefficient and magnetoresistivity was observed. The peculiarities were explained by a magnetic-field-induced localization of electrons in a two-dimensional (2D) potential relief of the InGaN MQW.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy