SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Amano H.)
 

Sökning: WFRF:(Amano H.) > (2000-2004) > Photoluminescence o...

Photoluminescence of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures : Role of depletion fields and polarization fields

Monemar, Bo (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Paskov, Plamen (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Haratizadeh, H. (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
visa fler...
Holtz, Per-Olof (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Bergman, Peder (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Kamiyama, S. (författare)
Dept. of Materials Science and Eng., Hi Tech Research Center, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya, 468, Japan
Iwaya, M. (författare)
Dept. of Materials Science and Eng., Hi Tech Research Center, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya, 468, Japan
Amano, H. (författare)
Dept. of Materials Science and Eng., Hi Tech Research Center, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya, 468, Japan
Akasaki, I. (författare)
Dept. of Materials Science and Eng., Hi Tech Research Center, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya, 468, Japan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlagsgesellschaft, 2003
2003
Engelska.
Ingår i: Physica status solidi. A, Applied research. - Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlagsgesellschaft. - 0031-8965 .- 1521-396X. ; 195:3, s. 523-527
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report on low temperature photoluminescence (PL) in InxGa1-xN multiple quantum wells (MQWs) with x in the range 0.1 and highly Si doped barriers of In0.01Ga0.99N. The MQW was placed either in the near surface depletion field or at the n-side depletion field of a pn-junction. At low temperatures the PL and electroluminescence (EL) spectra are quite different at no, low, or reverse bias, the PL appearing at higher energy. At high forward bias a spectral component at the EL position appears in PL. This proves a strong influence of the depletion field on the optical spectra. Preliminary results are also reported for Al0.07Ga0.93N/GaN structures, with near surface MQWs with 5 QWs, both Si-doped and nominally undoped. These structures show clear spectral features related to nonequivalent QWs in a graded depletion field.

Nyckelord

78.55.Cr; 78.60.Fi; 78.67.De
TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy