SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Svensson V.)
 

Sökning: WFRF:(Svensson V.) > (2000-2004) > Defect engineering ...

Defect engineering in Czochralski silicon by electron irradiation at different temperatures

Lindstrom, J.L. (författare)
Lindström, J.L., Department of Physics, Solid State Physics, University of Lund, P.O. Box 118, SE-22100 Lund, Sweden
Murin, L.I (författare)
Institute of Solid State and Semiconductor Physics, BY-220072 Minsk, Belarus
Hallberg, T. (författare)
visa fler...
Markevich, V.P. (författare)
Institute of Solid State and Semiconductor Physics, BY-220072 Minsk, Belarus, Centre for Electronic Materials, UMIST, P.O. Box 88, Manchester M60 1QD, United Kingdom
Svensson, B.G. (författare)
Solid State Electronics, Royal Institute of Technology, SE-16440 Kista, Sweden
Kleverman, Mats (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Physics, Solid State Physics, University of Lund, P.O. Box 118, SE-22100 Lund, Sweden
Hermansson, J. (författare)
Department of Physics, Solid State Physics, University of Lund, P.O. Box 118, SE-22100 Lund, Sweden
visa färre...
Lindström, JL., Department of Physics, Solid State Physics, University of Lund, P.O. Box 118, SE-22100 Lund, Sweden Institute of Solid State and Semiconductor Physics, BY-220072 Minsk, Belarus (creator_code:org_t)
2002
2002
Engelska.
Ingår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 0168-583X .- 1872-9584. ; 186:1-4, s. 121-125
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Infrared absorption studies of defect formation in Czochralski silicon irradiated with fast electrons in a wide range of temperatures (80-900 K) have been performed. The samples with different contents of oxygen (16O,18O) and carbon (12C,13C) isotopes were investigated. The main defect reactions are found to depend strongly on irradiation temperature and dose, as well as on impurity content and pre-history of the samples. Some new radiation-induced defects are revealed after irradiation at elevated temperatures as well as after a two-step (hot+room-temperature (RT)) irradiation. © 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

Carbon
Defects
Electron irradiation
Oxygen
Silicon
NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP
carbon
defects
electron irradiation
silicon
oxygen

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy