SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Komarov A)
 

Sökning: WFRF:(Komarov A) > (2001-2004) > Interaction between...

  • Lindstrom, J.L.Lindström, J.L., Department of Physics - Solid State Physics, University of Lund, PO Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden (författare)

Interaction between self-interstitials and the oxygen dimer in silicon

  • Artikel/kapitelEngelska2001

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2001
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-47195
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-47195URI
  • https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00694-9DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Interactions between the oxygen dimer (O2i) and silicon self-interstitials (I) and vacancies (V) have been studied in Czochralski-grown silicon (Cz-Si) crystals using infrared absorption and deep level transient spectroscopies. The focus in this report is on reactions of O2i with I. The first step in this interaction is found to be the formation of a self-interstitial-dioxygen centre (IO2i) with oxygen-related local vibrational mode (LVM) bands at 922 and 1037 cm-1. During the second formation step, another centre, I2O2i, with LVM bands at 918 and 1034 cm-1 is suggested to appear. A Si-related band at about 545 cm-1 is also assigned to both the IO2i and I2O2i centres. The IO2i centre is found to be electrically active with an acceptor level at Ec - 0.11 eV. The both defects, IO2i and I2O2i, are stable at room temperature and anneal out at about 400 and 550 K, respectively. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • Electron irradiation
  • Oxygen
  • Self-interstitials
  • Silicon
  • NATURAL SCIENCES
  • NATURVETENSKAP

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Hallberg, T.Defence Research Establishment, PO Box 1165, SE-581 11, Linkoping, Sweden (författare)
  • Hermansson, J.Department of Physics - Solid State Physics, University of Lund, PO Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden (författare)
  • Murin, L.I.Institute of Solid State and Semiconductor Physics, 220072 Minsk, Belarus (författare)
  • Komarov, B.A.Institute of Solid State and Semiconductor Physics, 220072 Minsk, Belarus (författare)
  • Markevich, V.P.Institute of Solid State and Semiconductor Physics, 220072 Minsk, Belarus, Centre for Electronic Materials, UMIST, Manchester M60 1QP, United Kingdom (författare)
  • Kleverman, M.Department of Physics - Solid State Physics, University of Lund, PO Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden (författare)
  • Svensson, B.G.Solid State Electronics, Royal Institute of Technology, SE-164 40 Kista, Sweden (författare)
  • Lindström, J.L., Department of Physics - Solid State Physics, University of Lund, PO Box 118, SE-221 00 Lund, SwedenDefence Research Establishment, PO Box 1165, SE-581 11, Linkoping, Sweden (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Physica. B, Condensed matter308-310, s. 284-2890921-45261873-2135

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy