SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Andreasson Ulf)
 

Sökning: WFRF:(Andreasson Ulf) > Microwave propertie...

  • Abadei, S.Department of Microelectronics, Chalmers University of Technology, 412 96 Göteborg, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

Microwave properties of tunable capacitors basee on magnetron sputtered ferroelectric Na0.5K0.5NbO3 film on low and high resistivity silicon substrates

  • Artikel/kapitelEngelska2001

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2006-09-03
  • Informa UK Limited,2001
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-47221
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-47221URI
  • https://doi.org/10.1080/10584580108011959DOI
  • https://research.chalmers.se/publication/212371URI
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:ltu:diva-5491URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:vet swepub-contenttype
  • Ämneskategori:kon swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Validerad; 2001; 20090902 (andbra)
  • In this work, small signal DC voltage dependent dielectric permittivity, loss tangent, and tuneability of magnetron sputtered epitaxial Na0.5K0.5NO3 films are studied experimentally. (100)-oriented Na0.5K0.5NbO3 films are deposited onto SiO2-buffered CMOS grade low resistivity (p = 10-20 cm) and high resistivity (p = 15-45 kcm) silicon substrates. Planar capacitors with 2 or 4 m gaps between electrodes have been fabricated on top of ferroelectric films. These devices have been characterized in the frequency range 1.0 MHz to 50 GHz at temperatures 30 - 300K. Na0.5K0.5NbO3/SiO2/Si structures on high resistivity silicon substrate exhibit C-V performances typical for Metal-Insulator- Semiconductor (MIS) capacitors. At low frequencies, f 1.0 GHz, the large tuneability and large losses are associated with the MIS structure, while at higher microwave frequencies the tuneability is mainly associated with the ferroelectric, film. At 1.0 MHz and room temperature, the tuneability of Na0.5K0.5NbO3/SiO2/Si structures more than 90%, reducing to 10-15 % at 50 GHz. The losses decrease with increasing the DC bias and frequency. A Q-factor more than 15 at 50 GHz is observed. The dielectric permittivity of the Na0.5K0.5NbO3 film is in the range 50-150 at frequencies 0.045-50 GHz. On low resistivity substrate the performance of Na0.5K0.5NbO3 films is completely screened by the high losses in silicon, and the tuneability is negligible. © 2001 Taylor and Francis.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Gevorgian, Spartak,1948Department of Microelectronics, Chalmers University of Technology, 412 96 Göteborg, Sweden, Core Unit Research Center, Ericsson Microwave Systems, SE-431 84, Mölnda, Sweden,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)spartak (författare)
  • Kugler, Veronika MozhdehLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Department of Physics, Linköping University(Swepub:liu)verku81 (författare)
  • Helmersson, UlfLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Plasma och ytbeläggningsfysik,Department of Physics, Linköping University(Swepub:liu)ulfhe30 (författare)
  • Andreasson, J.Luleå tekniska universitet,Institutionen för teknikvetenskap och matematik,Department of Materials and Manufacturing Engineering, Luleå University of Technology, 971 87, Luleå, Sweden (författare)
  • Department of Microelectronics, Chalmers University of Technology, 412 96 Göteborg, SwedenChalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Integrated Ferroelectrics: Informa UK Limited39:1-4, s. 359-3661058-45871607-8489

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy