A cause for SiC/SiO2 interface states: The site selection of oxygen in SiC

A cause for SiC/SiO2 interface states : The site selection of oxygen in SiC

We show that in the SiC/SiO2 system the interface states in the lower half of the gap are the consequence of the behavior of oxygen in SiC. Investigating the elemental steps of oxidation on a simple model by means of ab initio density functional calculations we find that, in course of the oxidation, carbon-vacancy (V-C) - oxygen complexes constantly arise. The V-C+O complexes have donor states around E-V+0.8 eV. Their presence gives rise to a thin transition layer which is not SiO2 but an oxygen contaminated Si-rich interface layer producing the aforementioned gap states.

Gali, AdamLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)adaga79 (författare)
Hajnal, Z (författare)
Frauenheim, T (författare)
Nguyen, Tien SonLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)nguso90 (författare)
Janzén, ErikLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)erija14 (författare)
Choyke, WJ (författare)
Ordejon, P (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Deak, P; Gali, Adam; Hajnal, Z; Frauenheim, T; Nguyen, Tien Son; Janzén, Erik; visa fler...; Choyke, WJ; Ordejon, P; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.