WFRF:(Jagadish C.)
Sökning: WFRF:(Jagadish C.) > Doping of silicon c...
- 30 av 34
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Doping of silicon carbide by ion implantation
- Svensson, BG (författare)
-
- Hallen, A (författare)
- Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Univ Oslo, Dept Phys, NO-0316 Oslo, Norway Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Australian Natl Univ, Canberra, ACT 0200, Australia CSIC, CNM, ES-08193 Bellaterra, Spain
-
- Linnarsson, M K (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Univ Oslo, Dept Phys, NO-0316 Oslo, Norway Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Australian Natl Univ, Canberra, ACT 0200, Australia CSIC, CNM, ES-08193 Bellaterra, Spain
- visa fler...
- Janson, MS (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Inc. 2001
- 2001
- Engelska.
- Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356. - : Trans Tech Publications Inc.. - 9780878498734 - 0878498737 ; , s. 549-554, s. 549-554
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A brief survey is given of some recent results on doping of 4H- and 6H-SiC by ion implantation. The doses and energies used are between 10(9) and 10(15) cm(-2) and 100 keV and 5 MeV, respectively, and B and Al ions (p-type dopants) are predominantly studied. After low dose implantation (less than or equal to 10(10) cm(-2)) a strong compensation is observed in n-type samples and this holds irrespective of implantation temperature up to 600 degreesC. However, at higher doses (10(14)-10(15) Al/cm(2)) the rate of defect recombination (annihilation) increases substantially during hot implants (greater than or equal to 200 degreesC) and in these samples one type of structural defect dominates after past-implant annealing at 1700-2000 degreesC. The defect is identified as a dislocation loop composed of clustered interstitial atoms inserted on the basal plane in the hexagonal crystal structure. Finally, transient enhanced diffusion (TED) of ion-implanted boron in 4H-samples is discussed.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- defect recombination
- dopant activation
- dopant compensation
- interstitial clusters
- Ostwald ripening
- transient enhanced diffusion
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Materials Science Forum, Vols. 353-356 (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 30 av 34
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Svensson, BG
- Hallen, A
- Linnarsson, M K
- Kuznetsov, AY
- Janson, MS
- Aberg, D
- visa fler...
- Osterman, J
- Persson, Per
- Hultman, Lars
- Storasta, Liutau ...
- Carlsson, Fredri ...
- Bergman, JP
- Jagadish, C
- Morvan, E
- visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Materials Scienc ...
- SILICON CARBIDE ...
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
