Defect reduction in HVPE growth of GaN and related optical spectra

Paskova, TanjaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi (författare)

GaN technology is still based on highly mismatched heteroepitaxial growth on foreign substrates, and therefore needs to overcome a high defect density and a high level of stress in the epitaxial layers. Various attempts have been made to reduce the defects and stress in thick GaN layers. We here report a reduction of the defect density in thick GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy, using regrowth on free-standing GaN films, as well as introducing an AlN buffer and AlN interlayer in the growth sequence. Special focus is put on the optical properties of the material.

Paskov, PlamenLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)plapa31 (författare)
Darakchieva, VanyaLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)vanda79 (författare)
Tungasmita, SukkanesteLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi(Swepub:liu)suktu97 (författare)
Birch, JensLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik(Swepub:liu)jenbi91 (författare)
Monemar, BoLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial(Swepub:liu)bomo46 (författare)
Linköpings universitetTekniska högskolan (creator_code:org_t)

Ingår i:Physica status solidi. A, Applied research183:1, s. 197-2030031-89651521-396X

Av författaren/redakt...: Paskova, Tanja; Paskov, Plamen; Darakchieva, Van ...; Tungasmita, Sukk ...; Birch, Jens; Monemar, Bo

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.