Sökning: L773:0039 6028 OR L773:1879 2758 >
Real-time assessmen...
Real-time assessment of selected surface preparation regimens for 4H-SiC surfaces using spectroscopic ellipsometry
-
- Edwards, NV (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Järrendahl, Kenneth (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Aspnes, DE (författare)
- NC State University, Box 8202, Raleigh, NC 26795, USA
-
visa fler...
-
- Robbie, K (författare)
- NC State University, Box 8202, Raleigh, NC 26795, USA
-
- Powell, GD (författare)
- NC State University, Box 8202, Raleigh, NC 26795, USA
-
- Cobet, C (författare)
- Institut für Festkoeperphysik, Sekr. PN6-1, Technische Universität Berlin, Berlin, Germany
-
- Esser, N (författare)
- Institut für Festkoeperphysik, Sekr. PN6-1, Technische Universität Berlin, Berlin, Germany
-
- Richter, W (författare)
- Institut für Festkoeperphysik, Sekr. PN6-1, Technische Universität Berlin, Berlin, Germany
-
- Madsen, LD (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier, 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Surface Science. - : Elsevier. - 0039-6028 .- 1879-2758. ; 464:1, s. L703-L707
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Spectroscopic ellipsometry (SE) was used to assess the removal of overlayer material from 4H-SiC (0001) and (0001) [Si- and C-face] surfaces in real time and, in particular, the critical final step of an otherwise standard RCA cleaning regimen commonly used to prepare SiC surfaces for contact formation. The treatments selected [buffered hydrofluoric acid (HF), concentrated HF, and dilute HF] removed 4-40 Angstrom of effective SiO2 overlayer thickness from these surfaces. The concentrated HF treatment yielded the best surface, i.e. that with the most abrupt transition region between bulk and surface and with the most oxide material removed. A fourth treatment regimen (sequential application of methanol, water, and 5% HF in methanol) was also developed for comparison with the full RCA clean. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Nyckelord
- Contact
- ellipsometry
- etching
- semiconducting surfaces
- silicon carbide
- vicinal single crystal surfaces
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas