SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

(L773:0021 8979)
 

Sökning: (L773:0021 8979) > Impact of plasma et...

Impact of plasma etching on the noise performance of Ti/p-Si and Ti/p-Si1-xGex Schottky contacts

Ouacha, H (författare)
Chalmers Univ Technol, Dept Phys, MC2, S-41296 Gothenburg, Sweden Univ Gothenburg, S-41296 Gothenburg, Sweden Natl Def Res Estab, S-58111 Linkoping, Sweden Univ Pretoria, Dept Phys, ZA-0002 Pretoria, South Africa
Mamor, M (författare)
Chalmers Univ Technol, Dept Phys, MC2, S-41296 Gothenburg, Sweden Univ Gothenburg, S-41296 Gothenburg, Sweden Natl Def Res Estab, S-58111 Linkoping, Sweden Univ Pretoria, Dept Phys, ZA-0002 Pretoria, South Africa
Willander, M (författare)
visa fler...
Ouacha, A (författare)
Auret, FD (författare)
Chalmers Univ Technol, Dept Phys, MC2, S-41296 Gothenburg, Sweden Univ Gothenburg, S-41296 Gothenburg, Sweden Natl Def Res Estab, S-58111 Linkoping, Sweden Univ Pretoria, Dept Phys, ZA-0002 Pretoria, South Africa
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2000
2000
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 87:8, s. 3858-3863
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The effect of plasma etching on the noise properties of Ti/p-Si and Ti/p-Si1-xGex (with x=0.05) Schottky junctions has been investigated. The noise measurements were performed over a temperature range of 77-300 K at frequencies of 10-100 kHz. The main noise source observed in these diodes during argon plasma sputter etching was attributed to the generation-recombination noise. From the analysis of the noise data, we have determined the interface state density and evaluated the introduced damage. The results indicate two optimum operating temperatures where low-noise level can be achieved. Furthermore, the activation energies of trap levels have been extracted by using noise spectroscopy (NS) and compared with those measured by deep-level transient spectroscopy (DLTS). We found two additional trap states using NS not detected by DLTS measurements. Finally, a noise comparison between Ti/p-Si and Ir/p-Si fabricated on an unetched substrate has been made. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)00608-3].

Nyckelord

NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Ouacha, H
Mamor, M
Willander, M
Ouacha, A
Auret, FD
Artiklar i publikationen
Journal of Appli ...
Av lärosätet
Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy