SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Roder S)
 

Sökning: WFRF:(Roder S) > (2005-2009) > Strain in a-plane G...

Strain in a-plane GaN layers grown on r-plane sapphire substrates

Roder, C. (författare)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany
Einfeldt, S. (författare)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany, Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany
Figge, S. (författare)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany
visa fler...
Hommel, D. (författare)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany
Paskova, Tanja (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
Monemar, Bo (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Haskell, B.A. (författare)
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States, NICP/ERATO JST, UCSB Group, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States
Fini, P.T. (författare)
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States, NICP/ERATO JST, UCSB Group, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States
Speck, J.S. (författare)
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States, NICP/ERATO JST, UCSB Group, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States
Nakamura, S. (författare)
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States, NICP/ERATO JST, UCSB Group, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5050, United States
visa färre...
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, PO. Box 330440, 28334 Bremen, Germany Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany, Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany (creator_code:org_t)
Wiley, 2006
2006
Engelska.
Ingår i: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. - : Wiley. - 1862-6300. ; 203:7, s. 1672-1675
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The strain in a-plane GaN layers of different thickness grown on r-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy was studied by X-ray diffraction. The layers are found to be under compression in the growth plane and under tension in the growth direction. Therefore, the symmetry of the GaN unit cell is no longer hexagonal but orthorhombic. With increasing layer thickness the strain relaxes and the curvature of the wafer increases. Wafer bending is proposed to be the major strain relaxation mechanism. The anisotropic in-plane strain relaxation is attributed to the elastic and thermal anisotropy of GaN and sapphire. © 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy