Mid/far-infrared detection using a MESFET with B-modulation doped Ge-dot/SiGe-well multiple stacks in the channel region

Adnane, BouchaibLinköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan (författare)

Multiple modulation-doped Ge-dot/SiGe-QW stack structures were grown using MBE, and processed as FET devices for mid/far infrared detection. From a non-optimized device, a broadband photoresponse has been observed in the mid-infrared range of 3-15 μm. A peak responsivity was estimated to be as high as 100 mA/W at T= 20 K. This work indicates that SiGE QD/QW structures using the lateral transport geometry can be a potential candidate for photodetectors operating in far-infrared range.

Elfving, AndersLinköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)andel73 (författare)
Zhao, MingLinköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)minzh44 (författare)
Larsson, MatsLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)matla70 (författare)
Magnuson, BengtLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan (författare)
Ni, Wei-XinLinköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)weini41 (författare)
Linköpings universitetYt- och Halvledarfysik (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Adnane, Bouchaib; Elfving, Anders; Zhao, Ming; Larsson, Mats; Magnuson, Bengt; Ni, Wei-Xin

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.