Si/SiGe/Si : Er : O light-emitting transistors prepared by differential molecular-beam epitaxy

Sökning: WFRF:(Xia Ni) > Si/SiGe/Si : Er : O...

Du, Chun-XiaLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan (författare)

Si/SiGe/Si:Er:O heterojunction bipolar transistor (HBT) type light-emitting devices with Er3+ ions incorporated in the collector region have been fabricated using a layered structure grown by differential molecular-beam epitaxy. Electroluminescence measurements on processed light-emitting HBTs can be performed in either constant driving current mode or constant applied bias mode, which is an important advantage over conventional Si:Er light-emitting diodes. Intense room-temperature light emission at the Er3+ characteristic wavelength of 1.54 mum has been observed at low driving current density, e.g., 0.1 A cm(-2), and low applied bias, e.g., 3 V, across the collector and emitter. (C) 2001 American Institute of Physics.

Duteil, FabriceLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan (författare)
Hansson, GöranLinköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)gorha51 (författare)
Ni, Wei-XinLinköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)weini41 (författare)
Linköpings universitetInstitutionen för fysik, kemi och biologi (creator_code:org_t)

Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing78:12, s. 1697-16990003-69511077-3118

Av författaren/redakt...: Du, Chun-Xia; Duteil, Fabrice; Hansson, Göran; Ni, Wei-Xin

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.