SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

(LAR1:liu) pers:(Syväjärvi Mikael)
 

Sökning: (LAR1:liu) pers:(Syväjärvi Mikael) > Properties of 3C-Si...

Properties of 3C-SiC Grown by Sublimation Epitaxy on Different Type of Substrates

Beshkova, Milena (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Lorenzzi, J. (författare)
UMR-CNRS
Jegenyes, N. (författare)
UMR-CNRS
visa fler...
Birch, Jens (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
Syväjärvi, Mikael (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Ferro, G. (författare)
UMR-CNRS
Yakimova, Rositsa (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Transtec Publications; 1999, 2010
2010
Engelska.
Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 645-648. - : Transtec Publications; 1999. ; , s. 183-186
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • 3C-SiC layers have been grown by using sublimation epitaxy at a temperature of 2000 degrees C, on different types of on-axis 6H-SiC(0001) substrates. The influence of the type of substrate on the morphology of the layers investigated by Atomic Force Microscopy (AFM) is discussed. Stacking faults are studied by reciprocal space map (RSM) which shows that double positions domains exists.

Nyckelord

3C-SiC; Sublimation Epitaxy; morphology; AFM; HRXRD
TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy