Sökning: WFRF:(Hemmingsson Carl 1964 ) >
Deep-Level Defects ...
-
Hemmingsson, Carl,1964-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
(författare)
Deep-Level Defects in Electron-irradiated 4H SiC Epitaxial Layers
- Artikel/kapitelEngelska1997
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AIP Publishing,1997
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-62914
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-62914URI
-
https://doi.org/10.1063/1.364397DOI
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-161317URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
NR 20150402
-
Deep level defects in electron-irradiated 4H SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition were studied using deep level transient spectroscopy. The measurements performed on electron-irradiated p+n junctions in the temperature range 100–750 K revealed several electron traps and one hole trap with thermal ionization energies ranging from 0.35 to 1.65 eV. Most of these defects were already observed at a dose of irradiation as low as ≈5×1013 cm-2. Dose dependence and annealing behavior of the defects were investigated. For two of these electron traps, the electron capture cross section was measured. From the temperature dependence studies, the capture cross section of these two defects are shown to be temperature independent. © 1997 American Institute of Physics.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
NATURAL SCIENCES
-
NATURVETENSKAP
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Son, Nguyen TienLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)nguso90
(författare)
-
Kordina, OlleLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)ollko50
(författare)
-
Bergman, PederLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)pedbe86
(författare)
-
Janzén, ErikLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)erija14
(författare)
-
Lindström, J.L.National Defense Research Institute
(författare)
-
Savage, S.Industrial Microelectronics Center
(författare)
-
Nordell, NIndustrial Microelectronics Center(Swepub:kth)u17rj10c
(författare)
-
Linköpings universitetHalvledarmaterial
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Journal of Applied Physics: AIP Publishing81:9, s. 6155-61590021-89791089-7550
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas