SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-65724"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-65724" > Electronic-grade Ga...

  • Junaid, MuhammadLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan (författare)

Electronic-grade GaN(0001)/Al2O3(0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

  • Artikel/kapitelEngelska2011

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • American Institute of Physics,2011
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-65724
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-65724URI
  • https://doi.org/10.1063/1.3576912DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • On the day of the defence date the status of this article was: Manuscript. Original Publication: Muhammad Junaid, Ching-Lien Hsiao, Justinas Palisaitis, Jens Jensen, Per Persson, Lars Hultman and Jens Birch, Electronic-grade GaN(0001)/Al2O3(0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target, 2011, Applied Physics Letters, (98), 14, 141915. http://dx.doi.org/10.1063/1.3576912 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/
  • Electronic-grade GaN (0001) epilayers have been grown directly on Al2O3 (0001) substrates by reactive DC-magnetron sputter epitaxy (MSE) from a liquid Ga sputtering target in an Ar/N2 atmosphere. The as-grown GaN epitaxial film exhibit low threading dislocation density on the order of ≤ 1010 cm-2 obtained by transmission electron microscopy and modified Williamson-Hall plot. X-ray rocking curve shows narrow fullwidth at half maximum (FWHM) of 1054 arcsec of the 0002 reflection. A sharp 4 K photoluminescence peak at 3.474 eV with a FWHM of 6.3 meV is attributed to intrinsic GaN band edge emission. The high structural and optical qualities indicate that MSEgrown GaN epilayers can be used for fabricating high-performance devices without the need of any buffer layer.

Ämnesord och genrebeteckningar

  • GaN
  • DC-MSE
  • Sputtering
  • ERDA
  • TEM
  • XRD
  • PL
  • NATURAL SCIENCES
  • NATURVETENSKAP

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Hsiao, Ching-LienLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)chihs76 (författare)
  • Palisaitis, JustinasLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)juspa01 (författare)
  • Jensen, JensLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)jenje80 (författare)
  • Persson, PerLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)perpe25 (författare)
  • Hultman, LarsLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)larhu75 (författare)
  • Birch, JensLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)jenbi91 (författare)
  • Linköpings universitetInstitutionen för fysik, kemi och biologi (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Applied Physics Letters: American Institute of Physics98:14, s. 141915-0003-69511077-3118

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy