Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-65724" >
Electronic-grade Ga...
-
Junaid, MuhammadLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
(författare)
Electronic-grade GaN(0001)/Al2O3(0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target
- Artikel/kapitelEngelska2011
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
American Institute of Physics,2011
-
electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-65724
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-65724URI
-
https://doi.org/10.1063/1.3576912DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
On the day of the defence date the status of this article was: Manuscript. Original Publication: Muhammad Junaid, Ching-Lien Hsiao, Justinas Palisaitis, Jens Jensen, Per Persson, Lars Hultman and Jens Birch, Electronic-grade GaN(0001)/Al2O3(0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target, 2011, Applied Physics Letters, (98), 14, 141915. http://dx.doi.org/10.1063/1.3576912 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/
-
Electronic-grade GaN (0001) epilayers have been grown directly on Al2O3 (0001) substrates by reactive DC-magnetron sputter epitaxy (MSE) from a liquid Ga sputtering target in an Ar/N2 atmosphere. The as-grown GaN epitaxial film exhibit low threading dislocation density on the order of ≤ 1010 cm-2 obtained by transmission electron microscopy and modified Williamson-Hall plot. X-ray rocking curve shows narrow fullwidth at half maximum (FWHM) of 1054 arcsec of the 0002 reflection. A sharp 4 K photoluminescence peak at 3.474 eV with a FWHM of 6.3 meV is attributed to intrinsic GaN band edge emission. The high structural and optical qualities indicate that MSEgrown GaN epilayers can be used for fabricating high-performance devices without the need of any buffer layer.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
GaN
-
DC-MSE
-
Sputtering
-
ERDA
-
TEM
-
XRD
-
PL
-
NATURAL SCIENCES
-
NATURVETENSKAP
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Hsiao, Ching-LienLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)chihs76
(författare)
-
Palisaitis, JustinasLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)juspa01
(författare)
-
Jensen, JensLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)jenje80
(författare)
-
Persson, PerLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)perpe25
(författare)
-
Hultman, LarsLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)larhu75
(författare)
-
Birch, JensLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)jenbi91
(författare)
-
Linköpings universitetInstitutionen för fysik, kemi och biologi
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Applied Physics Letters: American Institute of Physics98:14, s. 141915-0003-69511077-3118
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas