Free electron properties and hydrogen in InN grown by MOVPE

Darakchieva, VanyaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan (författare)

In this work we present a comprehensive study on the hydrogen impurities, free electron, and structural properties of MOVPE InN films with state-of-the-art quality. We find a correlation between the decrease of free electron concentration and the reduction of bulk hydrogen in the films upon thermal annealing, while no changes in the dislocation densities and strain are observed. Our results suggest that hydrogen is a major source for the unintentional n-type doping in MOVPE InN.

Xie, MengyaoLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)menxi76 (författare)
Rogalla, DRuhr-Universität Bochum, Bochum, Germany (författare)
Becker, H-WRuhr-Universität Bochum, Bochum, Germany (författare)
Lorenz, KInstituto Tecnológico e Nuclear, Sacavém, Portugal (författare)
Alves, EInstituto Tecnológico e Nuclear, Sacavém, Portugal (författare)
Ruffenach, SGroupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, Montpellier, France (författare)
Moret, MGroupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, Montpellier, France (författare)
Briot, OGroupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, Montpellier, France (författare)
Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Ingår i:PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE: WILEY-BLACKWELL, COMMERCE PLACE, 350 MAIN ST, MALDEN 02148, MA USA208:5, s. 1179-11821862-6300

Av författaren/redakt...: Darakchieva, Van ...; Xie, Mengyao; Rogalla, D; Becker, H-W; Lorenz, K; Alves, E; visa fler...; Ruffenach, S; Moret, M; Briot, O; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.