SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

L773:1549 7747
 

Sökning: L773:1549 7747 > (2010-2014) > Phase Predistortion...

Phase Predistortion of a Class-D Outphasing RF Amplifier in 90 nm CMOS

Fritzin, Jonas (författare)
Linköpings universitet,Elektroniska komponenter,Tekniska högskolan,Linköping University,Department of Electrical Engineering
Jung, Ylva (författare)
Linköpings universitet,Reglerteknik,Tekniska högskolan,Linköping University,Department of Electrical Engineering
Landin, Per Niklas (författare)
Högskolan i Gävle,KTH,ACCESS Linnaeus Centre,Signalbehandling,Elektronik,Royal Institute of Technology, Sweden
visa fler...
Händel, Peter, 1962- (författare)
Högskolan i Gävle,KTH,Signalbehandling,ACCESS Linnaeus Centre,Elektronik,Signal Processing Lab, ACCESS Linneaus Center,Royal Institute of Technology, Sweden
Enqvist, Martin, 1976- (författare)
Linköpings universitet,Reglerteknik,Tekniska högskolan,Linköping University,Department of Electrical Engineering
Alvandpour, Atila (författare)
Linköpings universitet,Elektroniska komponenter,Tekniska högskolan,Linköping University,Department of Electrical Engineering
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2011
2011
Engelska.
Ingår i: IEEE Transactions on Circuits and Systems - II - Express Briefs. - 1549-7747 .- 1558-3791. ; 58:10, s. 642-646
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • This brief presents a behavioral model structure and a model-based phase-only predistortion method that are suitable for outphasing RF amplifiers. The predistortion method is based on a model of the amplifier with a constant gain factor and phase rotation for each outphasing signal, and a predistorter with phase rotation only. The method has been used for enhanced data rates for GSM evolution (EDGE) and wideband code-division multiple-access (WCDMA) signals applied to a Class-D outphasing RF amplifier with an on-chip transformer used for power combining in 90-nm CMOS. The measured peak power at 2 GHz was +10.3 dBm with a drain efficiency and power-added efficiency of 39% and 33%, respectively. For an EDGE 8 phase-shift-keying (8-PSK) signal with a phase error of 3 degrees between the two input outphasing signals, the measured power at 400 kHz offset was -65.9 dB with predistortion, compared with -53.5 dB without predistortion. For a WCDMA signal with the same phase error between the input signals, the measured adjacent channel leakage ratio at 5-MHz offset was -50.2 dBc with predistortion, compared with -38.0 dBc without predistortion.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Reglerteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Control Engineering (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)

Nyckelord

Amplifier
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)
Linearization
Outphasing
TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP
Automatic control
Reglerteknik

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy