SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Nosenko G.)
 

Sökning: WFRF:(Nosenko G.) > (2012-2014) > Effects of hydrogen...

Effects of hydrogenation on non-radiative defects in GaNP and GaNAs alloys: An optically detected magnetic resonance study

Dagnelund, Daniel (författare)
Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
Vorona, I.P. (författare)
Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, Ukraine
Nosenko, G. (författare)
Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, Ukraine
visa fler...
Wang, X. J. (författare)
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China
Tu, C. W. (författare)
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, California, USA
Yonezu, H. (författare)
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan
Polimeni, A. (författare)
INFM and Dipartimento di Fisica, Università di Roma “La Sapienza”, Roma, Italy
Capizzi, M. (författare)
INFM and Dipartimento di Fisica, Universita` di Roma “La Sapienza”, Piazzale A. Moro 2,
Chen, Weimin (författare)
Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
Buyanova, Irina (författare)
Linköpings universitet,Funktionella elektroniska material,Tekniska högskolan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
American Institute of Physics (AIP), 2012
2012
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : American Institute of Physics (AIP). - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 111:023501
Relaterad länk:
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
visa fler...
http://liu.diva-port...
https://urn.kb.se/re...
https://doi.org/10.1...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Photoluminescence and optically detected magnetic resonance techniques are utilized to study defect properties of GaNP and GaNAs alloys subjected to post-growth hydrogenation by low-energy sub-threshold ion beam irradiation. It is found that in GaNP H incorporation leads to activation of new defects, which has a Ga interstitial (Ga-i) atom at its core and may also involve a H atom as a partner. The observed activation critically depends on the presence of N in the alloy, as it does not occur in GaP with a low level of N doping. In sharp contrast, in GaNAs hydrogen is found to efficiently passivate Ga-i-related defects present in the as-grown material. A possible mechanism responsible for the observed difference in the H behavior in GaNP and GaNAs is discussed.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy