Study of deep level defects in doped and semi-insulating n-6H-SiC epilayers grown by sublimation method

Deep level transient spectroscopy (DLTS) is employed to study deep level defects in n-6H-SiC (silicon carbide) epilayers grown by the sublimation method. To study the deep level defects in n-6H-SiC, we used as-grown, nitrogen doped and nitrogen-boron co-doped samples represented as ELS-1, ELS-11 and ELS-131 having net (N-D-N-A) similar to 2.0 x 10(12) cm(-3), 2 x 10(16) cm(-3) and 9 x 10(15) cm(3), respectively. The DLTS measurements performed on ELS-1 and ELS-11 samples revealed three electron trap defects (A, B and C) having activation energies E-c - 0.39 eV, E-c - 0.67 eV and E-c - 0.91 eV, respectively. While DLTS spectra due to sample ELS-131 displayed only A level. This observation indicates that levels B and C in ELS-131 are compensated by boron and/or nitrogen-boron complex. A comparison with the published data revealed A, B and C to be E-1/E-2, Z(1)/Z(2) and R levels, respectively.

n-Type 6H-SiC; Sublimation growth process; DLTS; Deep level defects; Surface defect; Co-doping
TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Iqbal, F.Islamia University of Bahawalpur, Pakistan (författare)
Faraz, Sadia MunichaLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan(Swepub:liu)sadfa20 (författare)
Jokubavicius, ValdasLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)valjo12 (författare)
Wahab, QamarLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)qamwa17 (författare)
Syväjärvi, MikaelLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)miksy08 (författare)
Islamia University of Bahawalpur, PakistanInstitutionen för fysik, kemi och biologi (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Asghar, M.; Iqbal, F.; Faraz, Sadia Mun ...; Jokubavicius, Va ...; Wahab, Qamar; Syväjärvi, Mikae ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.