White light-emitting diode based on fluorescent SiC

A monolithic white light-emitting diode (LED,) comprising a combination of a fluorescent-SiC (f-SiC) substrate and a nitride-based near-UV LED stack, is proposed. On the basis of the recombination of donor and acceptor pairs, the f-SiC substrate works as a phosphor for visible light emission. By employing the Fast Sublimation Growth Process method, the high-quality f-SiC substrate doped with N and B exhibited a nonradiative carrier lifetime of 55 mu s and an internal quantum efficiency (IQE) of 40%. With increasing donor and acceptor doping concentrations, a high IQE was estimated even at a high excitation level.

Iwaya, MotoakiMeijo University, Japan (författare)
Takeuchi, TetsuyaMeijo University, Japan (författare)
Akasaki, IsamuMeijo University, Japan (författare)
Yakimova, RositsaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)rosia15 (författare)
Syväjärvi, MikaelLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)miksy08 (författare)
Meijo University, JapanHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Kamiyama, Satosh ...; Iwaya, Motoaki; Takeuchi, Tetsuy ...; Akasaki, Isamu; Yakimova, Rosits ...; Syväjärvi, Mikae ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.