Sökning: WFRF:(Persson Per O A)
> (2010-2014) >
Room-temperature he...
Room-temperature heteroepitaxy of single-phase Al1-xInxN films with full composition range on isostructural wurtzite templates
-
- Hsiao, Ching-Lien (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Palisaitis, Justinas (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Junaid, Muhammad (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Persson, Per O A (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Jensen, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Zhao, Qingxiang (författare)
- Linköpings universitet,Fysik och elektroteknik,Tekniska högskolan
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Chen, Li-Chyong (författare)
- National Taiwan University, Taiwan
-
- Chen, Kuei-Hsien (författare)
- National Taiwan University, Taiwan Academic Sinica, Taiwan
-
- Birch, Jens (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier, 2012
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Thin Solid Films. - : Elsevier. - 0040-6090 .- 1879-2731. ; 524, s. 113-120
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://liu.diva-port...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Al1-xInxN heteroepitaxial layers covering the full composition range have been realized by magnetron sputter epitaxy on basal-plane AlN, GaN, and ZnO templates at room temperature (RT). Both Al1-xInxN single layers and multilayers grown on these isostructural templates show single phase, single crystal wurtzite structure. Even at large lattice mismatch between the film and the template, for instance InN/AlN (similar to 13% mismatch), heteroepitaxy is achieved. However, RT-grown Al1-xInxN films directly deposited on non-isostructural c-plane sapphire substrate exhibit a polycrystalline structure for all compositions, suggesting that substrate surface structure is important for guiding the initial nucleation. Degradation of Al1-xInxN structural quality with increasing indium content is attributed to the formation of more point-and structural defects. The defects result in a prominent hydrostatic tensile stress component, in addition to the biaxial stress component introduced by lattice mismatch, in all RT-grown Al1-xInxN films. These effects are reflected in the measured in-plane and out-of-plane strains. The effect of hydrostatic stress is negligible compared to the effects of lattice mismatch in high-temperature grown AlN layers thanks to their low amount of defects. We found that Vegards rule is applicable to determine x in the RT-grown Al1-xInxN epilayers if the lattice constants of RT-sputtered AlN and InN films are used instead of those of the strain-free bulk materials.
Nyckelord
- Magnetron sputter epitaxy
- Aluminum indium nitride
- Transmission electron microscopy
- Sputtering
- Vegards rule
- Strain
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Hsiao, Ching-Lie ...
-
Palisaitis, Just ...
-
Junaid, Muhammad
-
Persson, Per O A
-
Jensen, Jens
-
Zhao, Qingxiang
-
visa fler...
-
Hultman, Lars
-
Chen, Li-Chyong
-
Chen, Kuei-Hsien
-
Birch, Jens
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
Thin Solid Films
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet