SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Karlsson Per)
 

Sökning: WFRF:(Karlsson Per) > Excitons and biexci...

  • Amloy, SupaluckLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan (författare)

Excitons and biexcitons in InGaN quantum dot like localization centers

  • BokEngelska

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-87746
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-87746URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:vet swepub-contenttype
  • Ämneskategori:ovr swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Indium segregation in a narrow InGaN single quantum well creates quantum dot (QD) like exciton localization centers. Cross section transmission electron microscopy reveals varying shapes and lateral sizes in the range ~1-5 nm of the QD-like features, while scanning near field optical microscopy demonstrates a highly inhomogeneous spatial distribution of optically active individual localization centers. Microphotoluminescence spectroscopy confirms the spectrally inhomogeneous distribution of localization centers, in which the exciton and the biexciton related emissions from single centers of varying geometry could be identified by means of excitation power dependencies. Interestingly, the biexciton binding energy (Ebxx) was found to vary from center to center, between 3 to -22 meV, in correlation with the exciton emission energy. Negative binding energies justify the three-dimensional quantum confinement, which confirms QD-like properties of the localization centers.! The observed energy correlation is proposed to be understood as variations of the lateral extension of the confinement potential, which would yield smaller values of Ebxx for reduced lateral extension and higher exciton emission energy. The proposed relation between lateral extension and Ebxx is further supported by the exciton and the biexciton recombination lifetimes of a single QD, which suggest a lateral extension of merely ~3 nm for a QD with strongly negative Ebxx = -15.5 meV.

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Karlsson, FredrikLinköpings universitet,Halvledarmaterial(Swepub:liu)freka74 (författare)
  • Palisaitis, JustinasLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)juspa01 (författare)
  • Persson, PerLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)perpe25 (författare)
  • Chen, Y. T.Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taiwan (författare)
  • Chen, K. H.Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taiwan (författare)
  • Hsu, H. C.Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taiwan (författare)
  • Hsiao, C. L.Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan (författare)
  • Chen, L. C.Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan (författare)
  • Holtz, Per-OlofLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)perho67 (författare)
  • Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Internetlänk

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy